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2025-12-08
在数字经济飞速发展的今天,网络带宽需求呈爆炸式增长,光通信技术作为信息传输的核心支撑,正迎来新一轮技术革新。全光交换作为提升网络传输速率、拓展带宽容量的关键技术,其核心器件——光开关的性能直接决定了全光网络的运行效率。广西科毅光通信科技有限公司深耕光通信领域多年,基于自主研发的专利技术,成功推出一款兼具高速响应与低能耗优势的全光开关产品,为全光网络建设提供了高性能解决方案。
过去数十年,波分复用、数字信号处理和光纤放大技术的应用推动了网络带宽的跨越式发展,但随着5G、云计算、大数据等新兴技术的普及,市场对网络传输速率和带宽容量的需求持续攀升。全光交换技术凭借其无需光电转换、传输延迟低的优势,成为解决这一需求的核心方向,而全光开关作为全光交换的核心器件,其性能瓶颈直接制约了全光网络的升级步伐。
传统全光开关主要分为两类:一类是在聚合物薄膜上制备二维光子晶体结构,利用聚合物的非线性实现光开关功能;另一类是直接在半导体薄膜上制备二维光子晶体,通过半导体非线性实现缺陷态移动来完成开关操作。这两类产品存在一个共同的短板——无法同时降低开关能量和减小开关时间,要么能耗过高,要么响应速度不足,难以满足现代全光网络对高速、低耗的双重需求。
此外,部分研究尝试将聚合物与半导体二维光子晶体结合,构建复合材料光子晶体结构的全光开关,但这类产品往往尺寸偏大,无法实现亚波长尺寸下的超快速、低能耗运行,限制了其在小型化、高密度光通信设备中的应用。在这样的行业背景下,广西科毅光通信研发的新型全光开关,通过结构创新和材料优化,成功突破了传统技术的局限。
广西科毅光通信的全光开关产品,基于专利技术打造,采用独特的复合材料超构表面设计,核心结构由SOI基底、硅双棒阵列和设定折射率聚合物三部分组成,实现了性能的全面升级。
产品采用呈三明治结构的SOI基底(绝缘衬底上的硅),在顶层硅和底层硅之间引入一层二氧化硅作为埋氧化层。这种结构不仅具备良好的机械稳定性和光学性能,还能为后续硅双棒阵列的刻蚀提供优质载体,确保器件在复杂工作环境下的稳定运行。
在SOI基底的一侧表面,通过精密刻蚀工艺形成多组呈周期排列的硅双棒结构。每组硅双棒由两个相对间隔设置的硅棒构成,硅棒采用矩形结构设计,且每个硅棒的中部均断开,断开间隔控制在140-170nm(优选150nm),两个硅棒之间的间隔同样设定为150nm。
多组硅双棒在横向和纵向的周期参数均不小于900nm,这样的设计既保证了足够的硅双棒数量以优化光学性能,又避免了因间隔过小导致的聚合物填充困难问题。通过FDTD(时域有限差分法)仿真验证,当硅棒间隔为150nm时,反射光谱的非对称特性最为显著,为开关性能提升奠定了基础。

多组呈周期排列的硅双棒结构示意图
单组硅双棒的结构参数示意图
在多组硅双棒之间,以及每组硅双棒的两个硅棒之间,均填充有设定折射率的聚合物,并完全覆盖硅双棒表面,形成硅-聚合物复合材料超构表面。产品选用折射率为1.59的聚苯乙烯作为核心聚合物材料,通过旋转涂覆工艺在硅双棒结构超构表面形成薄膜,经烘干溶剂后,聚合物超出硅双棒的部分高度不低于硅双棒高度的二分之一。
聚苯乙烯具备优良的光学非线性,不仅三阶非线性系数大,响应时间快,还能在强光照射下快速改变折射率,配合硅双棒的结构特性,实现了开关性能的双重优化。
相较于传统全光开关产品,广西科毅光通信的全光开关凭借独特的结构设计和材料组合,实现了三大核心优势,完美解决了行业痛点。
复合材料超构表面的反射光谱具有非对称的Fano线型特征,这种线型由连续态和离散态之间的干涉形成,在极大值点和极小值点之间存在一条陡峭变化的非对称谱线(对应高品质因数)。这一特性使得器件的非线性响应时间大幅缩短,开关速度相较于传统产品显著提升,能够完美适配全光网络对超高速信号交换的需求,进一步提升网络传输速率。
Fano共振波长处具有增强电场强度的作用,再加上聚苯乙烯对折射率变化的高敏感性——即使聚合物折射率仅改变0.001,波长为1.478μm的非对称反射峰的反射率对比度也能达到约16dB。这种特性使得器件在强光照射下,仅需较低的泵浦光强度就能引起反射光谱的明显变化,从而有效降低了全光开关的开关能量,减少了设备运行过程中的能耗成本。

改变聚合物折射率后的反射光谱图
产品通过微纳加工工艺实现亚波长尺寸设计,相较于传统复合材料光子晶体光开关,尺寸更小、重量更轻,不仅便于集成到小型化光通信设备中,还能适应高密度部署需求,广泛应用于不同场景的全光网络建设。
此外,产品的制备流程相对简便,无需复杂的工艺步骤,既降低了生产成本,又能保证批量生产的稳定性,为大规模应用提供了保障。
广西科毅光通信的全光开关产品,通过标准化的精密制造流程,确保每一个器件都能达到设计性能指标,具体制备步骤如下:
1. 基材准备:选择表面光滑平整的硅片/二氧化硅片,经过严格清洗并吹干后,在表面旋涂电子束感光胶;
2. 图形形成:通过电子束曝光技术,在电子束感光胶上形成预设的硅双棒阵列图形;
3. 金属抗蚀层沉积:在带有图形的电子束感光胶上沉积金属抗蚀层;
4. 图形转移:去除电子束感光胶,在金属抗蚀层上获得呈周期排列的硅双棒结构;
5. 等离子刻蚀:通过等离子刻蚀工艺,将金属抗蚀层上的硅双棒图形转移到硅材料上;
6. 抗蚀层去除:去除残留的金属抗蚀层,得到纯净的硅双棒结构超构表面;
7. 聚合物涂覆:在硅双棒结构超构表面旋转涂覆聚苯乙烯薄膜,控制溶液浓度、旋转转速和时间,确保聚合物充分填充硅双棒间隙;
8. 烘干成型:烘干溶剂后,形成硅-聚合物复合材料超构表面,即完成全光开关的核心结构制备。

复合材料超构表面的制备流程示意图
整个制备过程严格控制每一个环节的工艺参数,通过精密设备保障结构尺寸的准确性和材料结合的稳定性,最终实现产品性能的一致性。
广西科毅光通信的全光开关基于Fano共振效应实现全光切换,工作过程简单高效,无需复杂的辅助设备,具体原理如下:
器件的反射光谱波长范围集中在1.4至1.6微米,入射光源采用线偏振的平面波,可垂直入射也可倾斜入射。当没有强光(泵浦光)照射时,探测光的反射率保持稳定状态;当泵浦光照射到复合材料超构表面时,聚苯乙烯的折射率会因强光作用快速变化,导致反射光谱发生偏移。
这种光谱变化直接改变了探测光的反射率状态,通过“有泵浦光”和“无泵浦光”两种情况下探测光反射率的差异,实现了光信号的快速切换,完成全光开关的核心功能。整个过程无需光电转换,响应速度快、传输延迟低,完美契合全光交换的技术需求。

全光开关工作示意图

硅棒不同间隔下的反射光谱图
凭借高速响应、低能耗、小型化的核心优势,广西科毅光通信的全光开关产品可广泛应用于多个光通信场景,为不同领域的网络建设提供核心支撑:
数据中心作为数字信息存储和处理的核心枢纽,对数据传输速率和能耗控制要求极高。该产品可用于数据中心的光交换矩阵,实现服务器之间的高速光信号交换,提升数据处理效率,同时降低机房能耗,助力绿色数据中心建设。
5G网络具有高带宽、低延迟的特性,对基站之间的信号传输提出了更高要求。全光开关可集成到5G基站的光通信模块中,实现基站间的快速信号切换,保障5G网络的稳定运行,支持高清视频、物联网、工业互联网等新兴应用的普及。
在长途光纤传输网络中,全光开关可用于光交叉连接设备(OXC),实现不同光纤链路之间的灵活切换,提升网络的可靠性和扩展性。其低能耗特性还能降低长途传输网络的运行成本,减少能源消耗。
该产品可供应给光通信设备制造商,集成到全光交换机、光路由器等终端设备中,提升设备的核心性能,助力下游企业打造更具竞争力的产品。
广西科毅光通信科技有限公司专注于光通信核心器件的研发、生产与销售,拥有一支由资深工程师和技术专家组成的研发团队,始终致力于技术创新和产品升级。公司依托自主研发的专利技术,打造了全光开关、光模块等一系列高性能产品,凭借稳定的品质和优质的服务,赢得了行业客户的广泛认可。
在全光网络建设加速推进的背景下,光开关作为核心器件,其性能升级直接推动着光通信行业的发展。广西科毅光通信的全光开关产品,通过结构创新和材料优化,成功实现了高速响应与低能耗的双重突破,解决了传统产品的行业痛点,为全光网络建设提供了高性能、高可靠性的核心支撑。
未来,广西科毅光通信将继续深耕光通信领域,持续加大研发投入,推动更多核心技术的突破与转化,为全球客户提供更优质的光通信产品和解决方案,助力数字经济高质量发展。
择合适的光开关等光学器件是一项需要综合考量技术、性能、成本和供应商实力的工作。希望本指南能为您提供清晰的思路。我们建议您在明确自身需求后,详细对比关键参数,并优先选择像科毅光通信这样技术扎实、质量可靠、服务专业的合作伙伴。
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