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光开关集成度提升技术白皮书

2025-08-20

 

前言:光电子产业的集成化革命

 

在光通信技术飞速发展的今天,光开关作为核心器件正经历着与半导体产业相似的"集成化革命"。本白皮书系统梳理光开关集成度提升的技术路径、行业标准与实践案例,为光通信设备制造商、数据中心运营商及科研机构提供权威技术参考。

 

广西科毅光通信科技有限公司作为国家高新技术企业,深耕光开关领域15年,累计申请专利52项,其中"一种基于Beneš架构的高密度光开关矩阵"(专利号ZL202220756368.0)实现集成度从32通道到64通道的突破,验证了"光子芯片摩尔定律"的可行性。本白皮书将结合科毅实践经验,详解集成度提升的关键技术与工程挑战。

 

一、技术标准与测试方法

 

1.1 行业标准体系

光开关集成度测试主要遵循以下标准:

 YD/T 1689-2007《机械式光开关技术要求和测试方法》:规定插入损耗(≤0.5dB)、回波损耗(≥50dB)等关键指标

 GB/T 12511-1990《纤维光学开关 第一部分:总规范》:定义通道串扰(≤-60dB)、重复性(≤±0.1dB)测试流程

 Telcordia GR-1073-CORE:提出长期可靠性验证方法,包括1000次高低温循环(-40℃~+85℃)测试

 

1.2 集成度测试关键指标

指标

定义

测试方法

科毅64通道产品指标

通道密度

单位面积集成的通道数(通道/cm²)

光学显微镜图像分析

48通道/cm²

插入损耗均匀性

各通道插入损耗最大值与最小值之差

可调谐激光源扫描(1525-1625nm)

≤0.3dB

串扰

非目标通道光功率与输入功率比

光谱分析仪测量

≤-55dB

开关时间一致性

100次切换的标准差

高速示波器(20GHz带宽)

σ≤2%

 

集成度技术路线图

集成度技术路线图



1.3 测试系统搭建

科毅光开关测试平台包含:

 光源模块:Agilent 8164B可调谐激光源(1525-1625nm,功率稳定性±0.01dB/h)

 检测模块:Keysight N9030A频谱分析仪(动态范围>80dB)

 控制模块:NI PXIe-6368数据采集卡(采样率1MS/s)

 环境舱:ESPEC SH-241恒温恒湿箱(温度范围-70℃~+150℃)

 


二、材料选型与性能对比

 

2.1 主流材料体系特性

材料体系

介电常数

热光系数(1/℃)

光学损耗(dB/cm)

工艺兼容性

硅(Si)

11.7

1.8×10⁻⁴

0.5-2

CMOS兼容

氮化硅(SiN)

7.5

2.4×10⁻⁵

0.1-0.3

需专用工艺

铌酸锂(LN)

28

9×10⁻⁶

0.2-0.5

异质集成

磷化铟(InP)

12.5

8.5×10⁻⁵

1-3

III-V工艺

 

光开关材料性能对比

光开关材料性能对比


2.2 科毅异质集成技术突破

科毅研发的SiN-LN异质集成平台通过以下创新实现性能跃升:

1. 等离子体活化键合:300nm LN薄膜与SiN衬底键合强度>20MPa

2. 混合波导设计:SiN条形波导(2μm宽)与LN覆盖层形成模式限制因子达80%

3. 高温退火优化:1050℃氮气氛围退火使波导表面粗糙度降至1.5nm RMS

 

测试数据表明,该平台实现:

 插入损耗:3.8dB(@1550nm)

 电光带宽:110GHz

 工作温度范围:-40℃~+85℃

 

自动化测试流程

自动化测试流程

三、设计优化与工艺创新

 

3.1 架构设计演进

从2×2基本单元到64×64矩阵的架构优化:

 

架构类型

通道数

串扰(dB)

功耗(mW/通道)

尺寸(mm²)

MZI干涉仪

2×2

≤-30

5

0.5×0.5

微环谐振器

4×4

≤-25

2

1×1

Benes网络

16×16

≤-40

1.5

5×5

改进型Benes

64×64

≤-55

0.5

10×10

 

3.2 关键工艺突破

1. 深层反应离子刻蚀(DRIE)

 刻蚀深度:3-5μm

 侧壁垂直度:90°±0.5°

 选择比:Si:SiO=50:1

 

2. 金属化工艺:

 电极材料:Ti/Au(厚度50/500nm)

 接触电阻:<10⁻⁵Ω·cm

 台阶覆盖:>90%

 

3. 封装技术:

 光纤阵列耦合损耗:<0.5dB

 温度循环稳定性:1000次循环后插损变化<0.3dB

 可靠性:MTBF>10小时

 


四、应用场景与解决方案

 

4.1 数据中心互联

挑战:传统电交换机面临带宽瓶颈,功耗高达15kW/机架

解决方案64×64光开关矩阵实现:

 光层灵活调度,重构时间<20ms

 降低功耗70%,单机架年省电12.4万度

 案例:越南海防数据中心采用后,端口利用率从60%提升至92%

 

4.2 5G承载网

挑战:前传网络光纤资源紧张,基站部署成本高

解决方案1×8光开关远程调度:

 支持1:8分光,节省75%光纤资源

 适应-40℃~+70℃户外环境

 已应用于中国移动广西南宁5G试验网

 

4.3 航天航空

挑战:空间辐射环境导致器件性能退化

解决方案:抗辐射加固设计:

 总剂量辐射:100krad(Si)

 单粒子翻转阈值:>80MeV·cm²/mg

 应用:低轨卫星星座激光通信终端

 

五、常见问题解答

 

Q1: 如何平衡集成度与插入损耗?

A:采用多层异质集成架构,将有源器件与无源器件分离集成。科毅64通道产品通过SiN-LN混合波导,实现集成度提升的同时保持插入损耗<4dB。

 

Q2: 高温环境对集成度有何影响?

A:温度每升高10℃,Si基光开关串扰恶化3dB。解决方案包括:

• 采用LN材料(热光系数仅为Si的1/20)

• 集成微型TEC制冷(控温精度±0.1℃)

• 设计热隔离结构,降低串扰<0.1dB/℃



Q3: 如何实现大规模光开关的测试量产?

A:科毅自主开发的并行测试系统:

• 支持8片晶圆同时测试

• 每片晶圆测试时间<2小时

• 测试良率>95%



Q4: 如何解决多通道串扰问题?

A:科毅采用三维电磁仿真优化电极布局,在64通道矩阵中实现串扰≤-55dB。具体措施包括:

• 波导间距从5μm增至8μm,降低模式耦合

• 引入接地屏蔽层(厚度200nm),抑制电磁干扰

• 优化驱动信号时序,采用分时切换策略,降低同时切换通道数量

 

Q5: 大规模光开关的散热解决方案?

A:开发微流道冷却系统,在10×10mm²芯片上实现:

• 散热功率密度50W/cm²,满足256通道芯片需求

• 芯片温度均匀性±1℃,避免局部过热导致的性能漂移

• 流道压降<0.5bar,兼容常规水冷系统


选择合适的光开关是一项需要综合考量技术、性能、成本和供应商实力的工作。希望本指南能为您提供清晰的思路。我们建议您在明确自身需求后,详细对比关键参数,并优先选择像科毅光通信这样技术扎实、质量可靠、服务专业的合作伙伴。

 

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