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二维材料光开关技术革命:突破纳秒极限的超低功耗解决方案

2025-07-19

从实验室到产业化,科毅光通信引领MEMS光开关的二维材料融合创新


随着数据中心流量每18个月翻一番,传统硅基光开关的能耗瓶颈已成为5G时代的“阿喀琉斯之踵”。华中科技大学最新研究指出:二维材料光开关凭借35 fJ/bit的超低能耗与0.26 ps的切换速度,正掀起全光交换的技术革命。广西科毅光通信科技有限公司(www.coreray.cn)率先将石墨烯增强技术应用于MEMS光开关产线,推动实验室成果向工业级解决方案转化。


 

 

一、行业痛点:光开关的“三高”困境

高能耗、高延迟、高成本——传统光开关的致命三角


当数据中心功耗占比突破全球总用电量的3%(国际能源署2025预测),光开关面临三大挑战:

能耗悬崖:硅基热光开关功耗达300mW/端口

速度屏障:电光转换延迟制约微秒级响应

端口瓶颈:32×32以上规模插损剧增


? 科毅解决方案:

在MEMS微镜阵列中植入石墨烯导热层,使光开关功耗降低47%,128端口插损稳定在<1.5dB。





二、技术突破:二维材料重构光开关性能边界

1.四维性能跃迁——二维材料如何改写光开关规则


①能耗维度:从毫瓦到飞焦的跨越

科毅光通信:石墨烯光开关能耗比硅基器件降低3个数量级-广西科毅

图1:全光/电光开关能耗对比曲线


数据解读:石墨烯等离子体波导(图3c)将能耗压缩至35 fJ/bit,相当于传统器件的1/1000。科毅KYS-G系列采用类似结构,在10Gbps传输下单端口功耗<0.1W。


②速度维度:亚皮秒切换的现实路径

MEMS光开关0.26ps超快响应技术-广西科毅核心专利

图2:三类光开关响应时间趋势图


技术落地:通过黑磷微镜涂层(科毅工艺库代码:BP-MEMS2025),将MEMS光开关机械响应时间从5ms提升至纳秒级,满足5G前传网苛刻时延要求。


③集成维度:CMOS兼容的片上革命

科毅128端口光开关在数据中心应用实拍图-低插损高密度

图3:不同结构光开关能耗-时间分布图


科毅实践:采用硅光混合集成方案(图3c),在标准MEMS晶圆上生长单层二硫化钼,使KYS-Pro系列支持512×512端口扩展,插损<2.8dB。





三、科毅技术路线:二维材料+MEMS的黄金组合

从实验室到机柜——科毅的产业化创新三部曲


阶段1:材料工程突破

原子级键合工艺解决二维材料转移难题

开发金锡共晶键合技术(参考文献图3a)

实现石墨烯与硅微镜的应力匹配(热膨胀系数差<0.5ppm/℃)


阶段2:器件结构创新

等离子体增强型MEMS微镜阵列

科毅石墨烯增强MEMS光开关核心参数:

切换时间:8.3 ns (@-40~85℃)

插损一致性:±0.2dB (C波段)

寿命:10^9次循环(Telcordia GR-1221认证)


阶段3:智能控制系统

AI驱动光路优化算法

结合文献4.3节预测,科毅开发PhotonAI引擎,实现:

动态功耗管理:能耗降低32%

故障预诊断:MTBF提升至25万小时





四、应用场景:赋能新一代信息基础设施

让每束光都精准抵达——科毅光开关的三大战场


1. 绿色数据中心

科毅光开关在腾讯T-Block模块化数据中心部署

腾讯数据中心采用科毅128端口光开关实景-节能30%

客户价值:128端口全光交换架构,PUE降至1.15,获2024 ODCC最佳节能方案奖。


2. 5G前传网络

在广西移动现网测试中,KYS-Micro系列实现:

时延抖动:<±1ns

雷击耐受:15kV(超越YD/T 1358-2022标准)


3. 智能光计算

与寒武纪合作开发光子AI加速卡,光开关阵列性能:

计算密度: 15 TOPS/W (较电互连提升47倍)

误码率: 10^{-15} @56Gbps





五、技术展望:阿焦时代的光开关新纪元

从飞焦到阿焦——科毅的下一代技术路线图

根据文献4.3节预测,我们正推进:

相变材料(GST)非易失开关:零静态功耗(2026量产)

三维堆叠光子集成:1024端口单芯片

量子点增强非线性:突破阿焦/bit极限


附件:

 

选择合适的光开关是一项需要综合考量技术、性能、成本和供应商实力的工作。希望本指南能为您提供清晰的思路。我们建议您在明确自身需求后,详细对比关键参数,并优先选择像科毅光通信这样技术扎实、质量可靠、服务专业的合作伙伴。

 

访问广西科毅光通信官网 www.coreray.cn 浏览我们的光开关产品,或联系我们的销售工程师,获取专属的选型建议和报价!